STD2HNK60Z技术参数详情：
STD2HNK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和2A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压和可靠性的中低功率开关应用而设计。
其技术优势体现在优化的动态与静态性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均维持在较低水平，这有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗，从而提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。
- 型号:STD2HNK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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