STGP40V60F技术参数详情：
STGP40V60F是意法半导体推出的一款采用沟槽型场截止技术的高性能600V IGBT。该器件在15V栅极驱动、40A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，实现了低导通损耗；同时，其优化的开关特性（典型开通/关断延迟为52ns/208ns）确保了在高频应用中的低开关损耗，整体功率处理能力达283W。
该IGBT提供80A的连续电流和160A的脉冲电流能力，采用标准的TO-220AB通孔封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。这些特性使其成为工业电机驱动、UPS、焊接及光伏逆变器等中高功率开关应用的理想选择，在提升系统效率与功率密度方面表现突出。
- 型号:STGP40V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:456J（导通），411J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:226 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:52ns/208ns
- 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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