STD2NC45-1技术参数详情：
STD2NC45-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用通孔式I-PAK封装，核心额定参数为450V漏源电压（Vdss）与1.5A连续漏极电流（Id），为高压中低功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.5Ω，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大7nC）和输入电容（Ciss最大160pF）显著减少了开关损耗与驱动需求，提升了系统效率与开关频率潜力。器件结温工作范围宽达-65°C至150°C，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD2NC45-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:450 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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