STL120N4LF6AG

STL120N4LF6AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级STripFET产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在40V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达120A（T_C）的电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值3.6mΩ @ 10V），可显著降低功率损耗，提升系统效率。

此外，其优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速的开关性能。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）封装，支持表面贴装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，为高可靠性、高功率密度的汽车电子和工业电源应用提供了理想的解决方案。

• 型号:STL120N4LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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