STD2NK60Z-1

STD2NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Id），为高压、小电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8欧姆@700mA，有助于最小化传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC @ 10V，输入电容（Ciss）也得到有效控制，这共同降低了驱动需求与开关损耗，有利于提升系统频率和效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为45W（Tc），确保了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:STD2NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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