STD2NK70Z-1技术参数详情：
STD2NK70Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用I-PAK封装，核心特性包括700V的高漏源电压（Vdss）和1.6A的连续漏极电流（Tc=25°C），专为应对高压环境下的开关应用而设计。
其技术参数针对效率进行了优化，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）值有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗。器件支持高达45W的功率耗散，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在各种电源转换场景中的可靠性。
- 型号:STD2NK70Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 800mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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