STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数相结合，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

其关键电气参数包括：在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为6.5欧姆，有助于降低导通损耗；栅极电荷（Qg）最大值仅为27nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用DPAK封装，最大功率耗散为70W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STD2NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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