STL3P6F6技术参数详情：
STL3P6F6是ST意法半导体生产的一款有源、单P沟道功率MOSFET。该器件采用POWERFLAT封装，核心电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为设计提供了坚实的功率处理基础。
其技术特性聚焦于实现高效的功率切换。优化的设计旨在提供较低的导通电阻和栅极电荷，这直接转化为更低的传导损耗与开关损耗，从而提升整体系统能效。这些参数使其成为空间受限且对效率有较高要求的应用的理想选择。
- 制造商产品型号：STL3P6F6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：*
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 器件封装：-
- 现在可以订购STL3P6F6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
