STD30NF06LT4

STD30NF06LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的电气参数组合：60V的漏源电压和35A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础，而28毫欧（最大值，@10V， 18A）的极低导通电阻则显著降低了导通状态下的功率损耗。

此外，其低栅极电荷（Qg最大值31nC @5V）和适中的栅极阈值电压确保了快速的开关切换和与标准逻辑电平驱动的良好兼容性，有助于提升系统整体效率并简化驱动电路设计。高达175°C的结温工作范围和70W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:STD30NF06LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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