STGWT30V60DF技术参数详情：
STGWT30V60DF是ST意法半导体推出的一款600V/60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3封装。其核心优势在于平衡了高耐压与大电流处理能力，同时通过优化的内部结构实现了较低的导通与开关损耗。
该器件在30A电流下的典型饱和压降仅为2.3V，最大功耗258W，并集成了快速恢复二极管以优化续流性能。其开关能量与栅极电荷参数经过精心设计，有助于提升系统效率并简化驱动。宽结温工作范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行，适用于工业电机驱动、UPS及逆变器等中高功率应用领域。
- 型号:STGWT30V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:258 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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