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STGWT30V60DF
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT 600V 60A 258W TO3P-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：STGWT30V60DF制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：IGBT 600V 60A 258W TO3P-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：60A电流-集电极脉冲(Icm)：120A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，30A功率-最大值：258W开关能量：383μJ（开），233μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：163nC25°C时Td（开/关）值：45ns/189ns测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：53ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3现在可以订购STGWT30V60DF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
