STD37P3H6AG技术参数详情：
STD37P3H6AG是ST意法半导体生产的一款符合AEC-Q101标准的汽车级P沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET H6技术，在DPAK封装内实现了优异的功率处理能力，其连续漏极电流（Id）高达49A（Tc），漏源电压（Vdss）为30V，适用于中低压、大电流的开关应用。
其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(On)）典型值低至15毫欧（@25A, 10V），显著降低了传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了高效的开关性能。器件结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，满足汽车电子等恶劣环境下的高可靠性要求。
- 型号:STD37P3H6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 49A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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