STD38NH02L-1技术参数详情：
STD38NH02L-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于24V电压系统，在壳温条件下可处理高达38A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值13.5mΩ @ 10V, 19A）与优化的栅极电荷（最大值24nC @ 10V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗性能平衡。
器件采用通孔I-PAK封装，支持标准逻辑电平驱动（Vgs(th)最大2.5V），工作结温范围宽达-55°C至175°C。这些特性使其成为低压、高电流开关应用的理想选择，例如DC-DC转换器、电机驱动和负载管理电路，能够有效提升系统能效与功率密度。
- 型号:STD38NH02L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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