STD3N40K3技术参数详情：
STD3N40K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），专为中低功率的高压开关应用而优化。
其技术亮点在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.4欧姆，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值11nC）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了宽泛的工作温度保障。
- 型号:STD3N40K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 400V 2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 900mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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