STD3N95K5AG技术参数详情：
STD3N95K5AG是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术，并符合AEC-Q101车规标准。其核心优势在于高达950V的漏源电压（Vdss）与优化的动态特性，在提供高耐压能力的同时，实现了较低的导通电阻和栅极电荷。
该器件在10V栅极驱动下具备优异的开关性能，有助于降低开关损耗并提升系统效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）以及DPAK表面贴装封装，确保了其在汽车电子、工业电源等高要求应用中的长期稳定性和可靠性。
- 型号:STD3N95K5AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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