STP18N55M5技术参数详情：
STP18N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id）承载能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值192mΩ @ 10V, 8A）与优化的栅极电荷（Qg最大值31nC @ 10V）相结合。这一特性组合显著降低了功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，器件支持高达110W的功率耗散，最大结温为150°C，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性和可靠性。
- 型号:STP18N55M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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