STD3NK60ZD

STD3NK60ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperFREDmesh产品系列。该器件采用DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与2.4A连续漏极电流（Id），专为高压、低功率开关应用而优化。

其技术优势体现在低导通电阻与低栅极电荷的平衡设计上，最大栅极电荷（Qg）仅为11.8nC，有助于实现高效率与低开关损耗。器件支持高达±30V的栅源电压，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），确保了在严苛环境下的稳定性和驱动安全性。

• 型号:STD3NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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