STGWF40V60DF技术参数详情：
STGWF40V60DF是意法半导体生产的一款采用沟槽型场截止技术的IGBT单管。该器件核心规格为600V集射极击穿电压和40A连续集电极电流，提供了稳健的功率处理能力。
其技术亮点在于优化的开关性能，开、关开关能量分别为456J和411J，有助于在高频开关应用中降低损耗。器件采用TO-3PFM通孔封装，支持最高175°C结温，确保了良好的散热性与高温环境下的可靠性，适用于对效率和鲁棒性有要求的功率转换场景。
- 制造商产品型号：STGWF40V60DF
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT BIPO 600V 40A TO3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：-
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 开关能量：456J（开），411J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：-
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3PFM，SC-93-3
- 现在可以订购STGWF40V60DF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
