STD3NK80Z-1技术参数详情：
STD3NK80Z-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于800V的漏源电压（Vdss）额定值与优化的动态参数，旨在实现高效率的功率转换。
在2.5A的连续漏极电流（Tc）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.5欧姆（@10V Vgs），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值19nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和简化的驱动要求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与70W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的工业环境。
- 型号:STD3NK80Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 现在可以订购STD3NK80Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
