STD3NK90ZT4技术参数详情：
STD3NK90ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK封装，核心额定参数为900V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流，专为高压、高效开关应用而设计。
其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为4.8欧姆，同时栅极电荷（Qg）被优化至22.7nC，这共同实现了低导通损耗与快速开关性能的平衡。此外，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
综上所述，STD3NK90ZT4凭借其高耐压、低损耗及稳健的封装特性，为开关电源、功率校正和工业控制等应用提供了一个高可靠性的功率开关解决方案。
- 型号:STD3NK90ZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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