STD3NM50T4

STD3NM50T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心额定参数为550V漏源电压（Vdss）与3A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至3欧姆（@1.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为5.5nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，能有效降低功率损耗，提升开关电源等系统的整体效率。器件支持高达150°C的结温工作，确保了在高温环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STD3NM50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:46W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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