STD40N2LH5技术参数详情：
STD40N2LH5是ST意法半导体推出的STripFET V系列N沟道MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于极低的导通电阻（典型11.8mΩ @ 10V, 20A）与极低的栅极电荷（最大6.3nC @ 5V），这使其在25V/40A的额定规格下，能同时实现优异的传导效率和快速的开关速度。
其设计支持5V标准逻辑电平驱动，开关损耗低，非常适用于高频开关场景。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换等应用的理想选择。
- 型号:STD40N2LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.8 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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