STS2DPFS20V

STS2DPFS20V是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为20V，在壳温条件下可支持高达2.5A的连续漏极电流，适用于低压、大电流的开关应用。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在4.5V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至200毫欧（@1A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大4.7nC @4.5V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。器件集成了肖特基二极管，并支持高达150°C的结温，增强了系统在电源管理、负载开关等场景下的可靠性和效率。

• 型号:STS2DPFS20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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