STD40P8F6AG技术参数详情：
STD40P8F6AG是ST意法半导体生产的一款汽车级（AEC-Q101）P沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。该器件的核心优势在于其强大的电流处理能力，在特定条件下支持高达40A的连续漏极电流，并具备80V的漏源电压额定值，为汽车12V/24V电源系统提供了稳健的电压保护裕量。
作为一款专为严苛环境设计的元器件，其低导通电阻特性有助于最小化功率损耗，提升整体系统效率。这些参数特性使其成为汽车应用中高侧开关、电机驱动和电源管理的可靠解决方案，满足了对高可靠性和高性能的严格要求。
- 型号:STD40P8F6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 80V DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4112 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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