STD45P4LLF6AG技术参数详情：
STD45P4LLF6AG是意法半导体推出的一款车规级P沟道功率MOSFET，采用DPAK封装。其核心卖点在于极低的导通电阻（15mΩ @ 25A, 10V）和优化的栅极电荷（65.5nC @ 10V），这共同实现了卓越的功率转换效率和快速的开关性能。
该器件设计用于严苛环境，符合AEC-Q101标准，工作结温范围达-55°C至150°C。其40V的漏源电压和50A的连续漏极电流能力，使其成为汽车电子系统中处理中大功率负载的理想选择，例如电机驱动和电源管理单元。
- 型号:STD45P4LLF6AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3525 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:58W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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