STD4NK100Z技术参数详情：
STD4NK100Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）和2.2A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至6.8Ω，有助于减少传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）低至18nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在汽车及工业等严苛环境下的高可靠性和稳定性。
- 型号:STD4NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 欧姆 @ 1.1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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