STD4NK50ZD-1技术参数详情：
STD4NK50ZD-1是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装。其核心优势在于结合了500V的高漏源电压与低至2.7欧姆的导通电阻，在保证高耐压可靠性的同时，有效降低了导通损耗。
器件具备优异的动态性能，最大栅极电荷仅为12nC，有助于实现高效率的快速开关，减少驱动损耗。其设计支持10V标准驱动，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和鲁棒性有要求的功率转换场景。
- 型号:STD4NK50ZD-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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