STF80N10F7技术参数详情：
STF80N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其卓越的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至10毫欧（@40A），能有效降低导通损耗，提升系统整体效率。
其电气参数设计均衡，具备100V的漏源电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（Id）处理能力。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大45nC @10V）确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗。器件采用TO-220FP封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于对可靠性和热管理有较高要求的功率开关应用。
- 型号:STF80N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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