STD4NK50ZT4

STD4NK50ZT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK（TO-252）表面贴装封装，核心特性包括500V的高漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)能力，为高压、中小电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为2.7欧姆（@1.5A），有助于降低导通损耗；同时，较低的栅极电荷(Qg，最大值12nC)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备±30V的栅源电压耐受能力，提升了系统的鲁棒性和可靠性。

• 型号:STD4NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购STD4NK50ZT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。