STS11NF30L

STS11NF30L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为8-SO。其核心优势在于优异的电气性能平衡：在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达11A（Tc）的连续漏极电流，同时实现了极低的导通电阻（典型10.5mΩ @ 10V）和栅极电荷（典型30nC @ 5V）。

这些参数共同确保了器件在应用中具备低传导损耗和快速开关能力，有助于提升系统整体效率。其1V（最大值）的低栅极阈值电压使其易于被标准逻辑电平驱动，简化了电路设计。该MOSFET适用于空间受限且对效率要求较高的功率开关场景。

• 型号:STS11NF30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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