STW13N60M2技术参数详情：
STW13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和11A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻（380mΩ @ 10V， 5.5A）与低栅极电荷（17nC @ 10V）的良好折衷。这一特性使其在开关电源中能同时优化传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件设计工作结温范围为-55°C至150°C，最大功率耗散为110W，确保了在严苛环境下的稳定运行。
- 型号:STW13N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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