STD5N95K3

STD5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至3.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升系统整体效率。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）为4A，最大功率耗散达90W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和较高的功率处理能力。

• 型号:STD5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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