STF26N60DM6

STF26N60DM6是ST意法半导体MDmesh DM6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（195mΩ @ 9A, 10V）与低栅极电荷（24nC @ 10V）的优化组合，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。结合30W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够满足工业级电源、电机驱动和能源转换系统对可靠性及性能的严格要求。

• 型号:STF26N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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