STD5N95K5技术参数详情：
STD5N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为950V漏源电压（Vdss）与3.5A连续漏极电流（Id），专为要求高耐压与高效开关的应用而设计。
其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色结合。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值仅为2.5欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大12.5nC）确保了快速的开关速度，从而有效降低开关损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下仍能保持稳定工作，为开关电源等应用提供了高可靠性的核心功率开关解决方案。
- 型号:STD5N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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