STP21NM60ND技术参数详情：
STP21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为600V漏源电压和17A连续漏极电流，专为高压、高功率应用设计。
其技术亮点在于通过优化的内部架构，在10V栅极驱动下实现了仅220毫欧的低导通电阻（Rds(on)）与60nC的低栅极电荷（Qg），这一组合显著降低了传导与开关损耗。器件支持高达150°C的工作结温，功率耗散能力为140W，确保了在严苛环境下的稳定运行与出色的热管理性能。
- 型号:STP21NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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