STD5NK52ZD

STD5NK52ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心规格包括520V的漏源击穿电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id @ Tc）。

其技术优势体现在优异的导通与开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.5Ω（@2.2A），有助于最小化传导损耗；同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，分别为16.9nC和529pF，确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升高频开关电源的效率。

该器件设计工作于-55°C至150°C的宽结温范围，最大功耗为70W（Tc），为要求严苛的工业级功率转换应用提供了高可靠性的解决方案。

• 型号:STD5NK52ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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