STD60NF06T4

STD60NF06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其60V的漏源电压（Vdss）和高达60A的连续漏极电流承载能力，同时保持了极低的导通电阻（最大值16mΩ @ 10V, 30A），能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为66nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关应用。器件结温工作范围宽（-55°C ~ 175°C），功率耗散能力强（110W），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等高效功率管理设计的理想选择。

• 型号:STD60NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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