TIP122技术参数详情：
TIP122是ST意法半导体推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其核心价值在于通过达林顿对结构实现了极高的电流放大能力，典型直流电流增益（hFE）最小值高达1000，允许使用微弱的控制信号来切换高达5A的负载电流。
该器件具备100V的集电极-发射极击穿电压和5A的连续电流处理能力，饱和压降为4V（@5A）。其2W的功耗能力和150°C的最高结温，配合通孔封装，确保了在要求严苛的工业环境中的可靠性与散热便利性，主要面向电机驱动、继电器控制和电源调整等中功率开关应用。
- 型号:TIP122
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:5 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:4V @ 20mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 3A，3V
- 功率 - 最大值:2 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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