STD60NF55LAT4技术参数详情：
STD60NF55LAT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive, SuperFET II产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其优异的电气性能平衡：55V的漏源电压和60A的连续漏极电流提供了强大的功率处理能力，而低至15毫欧的导通电阻（@10V，30A）与仅40nC的栅极电荷（@5V）则共同确保了极低的导通与开关损耗。
这些参数特性使其特别适用于高效率、高可靠性的应用场景。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和110W的最大功耗能力，进一步保障了其在严苛环境下的稳定运行，是汽车电子及工业电源系统中功率开关应用的理想选择。
- 型号:STD60NF55LAT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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