STD60NH03L-1技术参数详情：
STD60NH03L-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I-PAK通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V VGS、30A ID条件下，RDS(on)最大值仅为9毫欧，配合高达60A的连续漏极电流能力，能够显著降低导通损耗，提升功率转换效率。
此外，其栅极驱动特性经过优化，栅极电荷（Qg）低至21nC（@5V），且栅极阈值电压典型值较低，使其易于被标准5V逻辑信号快速驱动，有利于实现高频开关并简化驱动电路设计。器件额定漏源电压为30V，结温工作范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。
- 制造商产品型号：STD60NH03L-1
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET III
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 30A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I-PAK
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