STD65N55F3技术参数详情：
STD65N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，核心特性包括55V的漏源电压（Vdss）以及高达80A（Tc）的连续漏极电流承载能力，适用于高电流应用环境。
其技术优势主要体现在极低的功率损耗上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为8.5毫欧（@32A），配合45nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），共同优化了导通与开关损耗，提升了系统的整体能效和开关频率潜力。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣温度条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STD65N55F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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