STD65N55LF3技术参数详情：
STD65N55LF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于成熟的STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为55V漏源电压（Vdss）与高达80A的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。
其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V Vgs、32A Id条件下最大仅为8.5毫欧，配合最大值20nC的低栅极电荷（Qg @ 5V），共同确保了在开关电源和电机驱动等应用中的高效率与低损耗。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，设计稳健，适用于要求高可靠性的功率转换与控制系统。
- 型号:STD65N55LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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