STD6N62K3技术参数详情：
STD6N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为620V漏源电压和5.5A连续漏极电流，专为高压开关应用而优化。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为1.28欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值低至25.7nC，这确保了快速的开关速度，能有效降低高频工作时的开关损耗。这些特性共同使其在要求高效率和高可靠性的电源设计中成为关键元件。
- 型号:STD6N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.28 欧姆 @ 2.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:706 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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