STD6N80K5技术参数详情：
STD6N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心参数针对高效开关应用进行了优化。
其关键卖点在于800V的高漏源电压和4.5A的连续漏极电流能力，为电源设计提供了坚实的耐压和载流基础。同时，1.6欧姆的低导通电阻与仅7.5nC的低栅极电荷形成了优异组合，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效和开关频率。这些特性使其成为离线式电源、PFC电路及电机驱动等应用的理想功率开关选择。
- 型号:STD6N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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