STD6NM60N-1技术参数详情：
STD6NM60N-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至920毫欧（@10V， 2.3A）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这确保了在高压开关应用中既能承受高电压应力，又能实现较低的传导损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为13nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。器件采用I-PAK通孔封装，额定连续漏极电流（Id）为4.6A（Tc），最大功率耗散为45W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为各种高压电源和功率转换应用提供了可靠且高效的开关解决方案。
- 型号:STD6NM60N-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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