STD70N02L

STD70N02L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（典型值8mΩ @ 10V, 30A）与优化的栅极电荷（32nC @ 10V），这使其在导通损耗和开关损耗方面均表现出色，特别适合要求高效率的开关应用。

其电气规格包括25V的漏源电压（Vdss）和高达60A（Tc）的连续漏极电流处理能力，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在宽温环境下的可靠性。较低的栅极驱动电压需求（标准5V/10V逻辑电平）简化了驱动电路设计。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和各类中低压、大电流DC-DC转换电路的理想选择。

• 型号:STD70N02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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