STD46N6F7技术参数详情：
STD46N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和DPAK封装。其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了可靠的开关基础。
该器件的突出优势在于其低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V Vgs条件下，其Rds(on)低至14毫欧（@7.5A），能显著降低传导损耗；同时，最大17nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，热性能稳健。
- 型号:STD46N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1065 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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