STD70N10F4

STD70N10F4是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的DeepGATE技术。该器件设计用于中压、大电流应用，其核心优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，最大值仅为19.5毫欧（@30A），这能显著降低功率转换过程中的传导损耗，提升整体系统效率。

器件额定漏源电压（V_DSS）为100V，连续漏极电流（I_D）高达60A（T_C=25°C），具备强大的功率处理能力。其采用热性能良好的DPAK表面贴装封装，最大功耗为125W，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换模块等应用的理想选择。

• 型号:STD70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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