STL3N10F7技术参数详情：
STL3N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件额定值为100V漏源电压（Vdss）与4A连续漏极电流（Tc），其核心优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合，典型导通电阻（Rds(on)）低至70毫欧（@10V，2A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为7.8nC，这有助于显著降低导通与开关损耗，提升系统能效。
器件采用节省空间的PowerFlat（2x2）表面贴装封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为2.4W。这些特性使其成为空间受限、要求高效率的功率转换应用的理想选择，例如同步整流、电机驱动和各类便携式设备的电源管理。
- 型号:STL3N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（2x2）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
- 封装/外壳:6-PowerWDFN
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