STD70N2LH5技术参数详情：
STD70N2LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用DPAK封装，额定漏源电压为25V，在管壳温度条件下可支持高达48A的连续漏极电流，适用于高电流密度设计。
其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻低至7.1毫欧（@24A），显著降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（8nC @5V）确保了快速的开关瞬态，有利于提升高频开关电源的效率。器件兼容5V逻辑电平驱动，工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），提供了可靠且灵活的设计选项。
- 型号:STD70N2LH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 48A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 24A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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