STI30N65M5

STI30N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用通孔I2PAK封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为139毫欧 @ 11A，能有效降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为64nC @ 10V，有助于实现高效的开关操作。这些参数共同使其成为追求高效率和可靠性的功率转换系统的理想选择。

• 型号:STI30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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